ICP刻蚀在GaAs p-i-n工艺中的应用

• 作者: 付兴昌 崔玉兴 幺锦强 张力江
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs 感应耦合等离子体 p-i-n二极管 湿法腐蚀 干法刻蚀
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 503-506
• 分类号: TN305.7
• 字数: 1879字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.08.009

摘要

基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响.分别采用了湿法腐蚀和干法刻蚀的方法制作了器件,结果表明采用湿法腐蚀的方法去除p-i层时,由于腐蚀的各项异性造成的影响无法消除,会影响器件的性能.阐述了影响干法刻蚀的设备因素和工艺因素,讨论分析了不同的气体、腔体的真空度以及不同的功率对最终结果的影响.最终得到刻蚀均匀、稳定的干法刻蚀条件,将ICP干法刻蚀工艺引入GaAs p-i-n器件制造.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	付兴昌	中国电子科技集团公司第十三研究所	27	68	5.0	7.0
2	崔玉兴	中国电子科技集团公司第十三研究所	30	88	6.0	8.0
3	张力江	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	32	3.0	5.0
4	幺锦强	中国电子科技集团公司第十三研究所	1	0	0.0	0.0