电感耦合等离子体原子发射光谱法测定工业硅中痕量硼

• 作者: 林为涛 樊国洋 潘文艳
• 来源期刊: 冶金分析
• 学科: 化学
• 关键词: 电感耦合等离子体原子发射光谱 工业硅 硼
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 37-40
• 分类号: O657.31
• 字数: 1768字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7571.2010.06.007

摘要

样品经硝酸和氢氟酸混合酸分解后,采用电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP-AES)法测定工业硅中痕量硼杂质元素.试验发现,控制加热温度在140～180℃,可以有效抑制硼元素的挥发.对分析谱线的选择进行探讨,选定B 208.959 nm{161}作为B的分析谱线,而且,适当的扣除背景点,基体和其它共存元素在实验条件下均未对B 208.959 nm{161}线产生光谱干扰现象.在仪器最佳工作条件下,方法检出限为0.03 μg/mL,回收率在90%～105%,相对标准偏差≤7.0%(n=11).用本方法测定工业硅标准样品中硼,测定值与认定值相吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘文艳		1	12	1.0	1.0
2	樊国洋		1	12	1.0	1.0
3	林为涛		1	12	1.0	1.0