特定相位高功率开关的研制

• 作者: 吴景峰 李涛 陈宏江
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 特定相位 高功率 S波段 开关 仿真
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 852-854
• 分类号: TM56
• 字数: 1793字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.030

摘要

为满足相控阵天线的特定相位、小型化及高功率的要求,研制了一种S波段SP4T开关,阐述了开关的设计仿真方法,详细分析了开关的相位和大功率设计.用矢量网络分析仪测得结果为插入损耗IL＜0.6 dB,隔离大于40 dB,传输相位和反射相位小于5°,输入输出驻波比小于1.3.结果表明,微带线的尺寸不仅影响开关的传输相位和反射相位,还影响开关的插入损耗,微带线的调整在改善相位的同时,也有可能会使开关的插入损耗变差,反射相位的改变会同时影响传输相位和插入损耗的大小.揭示了开关传输反射相位、插入损耗和微带线尺寸之间的相互联系,通过测量比较,研究了接插件对相位带来的影响,讨论了开关的大功率设计方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李涛	中国电子科技集团公司第十三研究所	41	136	6.0	10.0
2	吴景峰	中国电子科技集团公司第十三研究所	20	105	5.0	9.0
3	陈宏江	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	21	2.0	4.0