不同铝掺杂量ZnO薄膜性能的研究

• 作者: 姚宁 王海燕 穆慧慧 薛进奎 赵会仙 邢宏伟
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 铝掺杂量 ZnO薄膜 载流子浓度 载流子迁移率 直流反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 39-42
• 页数: 4页
• 分类号: TB43|O484
• 字数: 2986字
• 语种: 中文

摘要

以铝掺杂质量分数为1%、2%、3%的Zn/Al合金为靶材,采用直流反应磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同铝含量ZnO:Al(AZO)透明导电薄膜.研究了衬底温度对AZO薄膜电学性能的影响;同时,研究铝掺杂量不同、电阻率相同的AZO薄膜的载流子浓度与迁移率的关系.结果表明:随着Al掺杂量的增加,薄膜最佳性能(透过率90%,电阻率6×10-4 Ω·cm左右)时的衬底温度值会降低;电阻率相同的样品,1%铝掺杂的薄膜迁移率和透光率均高于2%铝掺杂薄膜的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚宁	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	122	692	12.0	18.0
2	王海燕	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	62	372	11.0	16.0
3	邢宏伟	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	2	16	2.0	2.0
4	赵会仙	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	6	8	2.0	2.0
5	穆慧慧	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	3	8	2.0	2.0
6	薛进奎	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	3	10	2.0	3.0