氨化温度对Si基GaN纳米结构质量的影响

• 作者: 刘文军 孙海波 曹玉萍 石锋 薛成山 郭永福
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN纳米结构 Si衬底 钴 氨化 溅射
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构
• 页码范围: 18-24
• 分类号: TN304.23|TN383
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.01.005

摘要

通过磁控溅射技术在Si (111)衬底上沉积Ga2O3/Co薄膜,然后在不同温度下氨化制得GaN纳米结构.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品的结构、形貌和光学特性进行了表征.结果显示合成的GaN纳米结构具有六方纤锌矿结构,且纳米结构的生长受温度影响很大.PL谱显示在388 nm处有一强的紫外发光峰,表明其在低维激光器件方面的应用优势.同时对纳米结构的生长机制进行了简单讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹玉萍		2	7	1.0	2.0
2	薛成山		5	21	2.0	4.0
3	石锋		1	1	1.0	1.0
4	孙海波		1	1	1.0	1.0
5	郭永福		1	1	1.0	1.0
6	刘文军		1	1	1.0	1.0