国产半导体器件长期贮存试验研究

• 作者: 徐立生 童亮 高兆丰 高金环
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 长期贮存 可靠性 失效率 可焊性 水汽含量
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 800-802
• 分类号: TN306
• 字数: 1890字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.015

摘要

分析了在北方实验室条件下,贮存25年的国产商用高频小功率晶体管的特性与可靠性,通过对10批共1460只器件的试验、检测,并与25年前的原始数据进行对比分析,发现了贮存器件存在直流放大倍数(HFE)退化、内引线开路、外引线可焊性失效三种失效模式,并对其失效原因、失效机理进行了分析.在考虑到现代技术可以消除的因素(用充干N2封装或已焊接使用),预计80年代的国产商用高频小功率晶体管贮存失效率水平小于10-7.用贮存25年的实物揭示了国产半导体器件贮存存在的主要失效模式,为国产半导体器件提高贮存可靠性提供了真实可靠的依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐立生		12	61	4.0	7.0
2	童亮		4	0	0.0	0.0
3	高金环		10	33	3.0	5.0
4	高兆丰		7	36	3.0	6.0