128×128像元MOS电阻阵非均匀性校正算法研究

• 作者: 孙嗣良 王建华 闫杰 陈韧
• 来源期刊: 红外技术
• 学科: 航空航天
• 关键词: MOS电阻阵 非均匀性校正 场景产生器 红外成像仿真
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 68-72
• 页数: 5页
• 分类号: V448.25
• 字数: 2280字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8891.2010.02.002

摘要

MOS电阻阵非均匀性校正一直是基于MOS电阻阵的场景产生器研究和发展的关键问题和前沿技术.在对128×128像元MOS电阻阵实验的基础上,分析了其非线性和非均匀性产生的原因,并提出了非均匀性校正算法.首先在MOS电阻阵中覆盖矩阵栅格,建立线性修正表格,然后通过采集校正后数据建立补偿表格,迭代这个修正过程完成校正补偿工作.实验结果表明非均匀性校正算法可行,校正后的红外图像均匀性有较大提高,较好地满足了红外成像制导仿真需求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫杰	西北工业大学航天学院飞行控制与仿真技术研究所	207	1172	16.0	23.0
2	王建华	空军工程大学理学院	4	79	3.0	4.0
3	孙嗣良	西北工业大学航天学院飞行控制与仿真技术研究所	10	75	4.0	8.0
4	陈韧	西北工业大学航天学院飞行控制与仿真技术研究所	3	6	2.0	2.0