抗坏血酸在聚L-谷氨酸修饰玻碳电极上的电化学行为研究

• 作者: 廖文利 李忠彬 李念兵
• 来源期刊: 重庆文理学院学报：自然科学版
• 学科: 化学
• 关键词: L-谷氨酸 修饰玻碳电极 抗坏血酸测定
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: O657

摘要

采用电聚合的方法制备了聚L-谷氨酸修饰玻碳电极,该修饰电极对抗坏血酸（AA）具有良好的电催化作用,并对实验测定条件进行了优化.实验结果表明,在pH=4.0的邻苯二甲酸氢钾缓冲溶液中,扫描电位为-0.2～1.0 V范围内,抗坏血酸在聚L-谷氨酸修饰玻碳电极表面出现稳定的氧化峰.氧化峰的峰电流（Ipa）与抗坏血酸的浓度在2.0×10-5～2.0×10-3mol/L范围内有良好的线性关系,最低检测限可达2.0×10-6mol/L.该电极制备方便,有良好的稳定性和重现性.