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摘要:
提出一种与具体硬件结构无关、基于权重的错误注入模型,用于准确模拟基于SRAM的现场可编程门阵列抗辐射性能.提出基于JTAG边界扫描技术和动态局部重配置的错误注入模拟平台.实验结果证明,由该软件模型和硬件平台组成的错误注入系统具有良好通用性,能更准确、高效地进行模拟,且成本较低.
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文献信息
篇名 基于动态局部重配置的FPGA抗辐射模拟
来源期刊 计算机工程 学科 地球科学
关键词 现场可编程门阵列 错误注入模型 动态局部重配置 JTAG边界扫描
年,卷(期) 2010,(14) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 218-220,226
页数 分类号 N945.12
字数 3820字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-3428.2010.14.079
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 童家榕 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 56 284 9.0 13.0
2 周学功 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 22 201 8.0 13.0
3 王伶俐 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 33 124 6.0 9.0
4 刘智斌 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室 1 11 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
现场可编程门阵列
错误注入模型
动态局部重配置
JTAG边界扫描
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
计算机工程
月刊
1000-3428
31-1289/TP
大16开
上海市桂林路418号
4-310
1975
chi
出版文献量(篇)
31987
总下载数(次)
53
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317027
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