4H-SiC晶体表面形貌和多型结构变化研究

• 作者: 宁丽娜 宋生 彭燕 徐化勇 徐现刚 胡小波 蒋锴 高玉强
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 4H-SiC 裂缝缺陷 晶型转变
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 559-563
• 分类号: O771|O782
• 字数: 2132字
• 语种: 中文

摘要

利用光学显微镜、显微拉曼光谱仪研究了4H-SiC晶体表面形貌和多型分布.显微镜观察结果显示4H-SiC小面生长螺蜷线呈圆形,沿<11(2-)0>方向容易出现裂缝.裂缝两侧有不同的生长形貌.拉曼光谱结果显示缺陷两侧为不同的晶型,裂缝实际为晶型转化的标志.纵切片观察发现,在4H-SiC和15R-SiC多型交界处产生平行于<11(2-)0>方向裂缝;15R-SiC多型一旦出现,其径向生长方向平行于<11(2-)0>方向,轴向生长方向平行于<000(1-)>方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	彭燕	山东大学晶体材料国家重点实验室	9	23	4.0	4.0
3	宁丽娜	山东大学晶体材料国家重点实验室	4	16	3.0	4.0
7	高玉强	山东大学晶体材料国家重点实验室	4	15	3.0	3.0
8	徐化勇	山东大学晶体材料国家重点实验室	2	8	2.0	2.0
9	宋生	山东大学晶体材料国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
10	蒋锴	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	4	1.0	1.0