微晶硅同质结薄膜太阳电池的数值模拟分析

• 作者: 卢景霄 杨仕娥 赵明利 陈永生
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 微晶硅同质结薄膜太阳电池 数值模拟 SCAPS 电池性能 光谱响应
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 46-50
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4|O484
• 字数: 3087字
• 语种: 中文

摘要

采用太阳电池电容模拟软件(简称SCAPS)对p-i-n结构的微晶硅同质结薄膜太阳电池进行了数值模拟.研究了本征层的厚度和缺陷态浓度及窗口层的厚度等参数对电池性能的影响.得到的主要结论如下:(1)随着本征层缺陷态浓度N1的增加,电池的各性能参数均单调下降.(2)随着本征层厚度的增加,长波段的光谱响应逐渐改善,但该层过厚则导致中波段的光谱响应急剧下降,在Nt=1.0×1016/cm3的条件下,本征层厚度在1.5～2.0μm范围内电池效率均可达到7.0%以上.(3)P型窗口层的厚度对短波段的光谱响应及短路电流密度JSC有较大影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
2	杨仕娥	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
3	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0
4	赵明利	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	4	12	2.0	3.0