Si-玻璃阳极键合失效机理研究

• 作者: 夏善红 毋正伟 陈德勇
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微电子机械系统 阳极键合 微惯性传感器 二氧化硅 钾离子污染 键合失效
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 619-623
• 分类号: TN305|TP212
• 字数: 2226字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.10.007

摘要

在采用Si-玻璃阳极键合技术制备微惯性传感器的过程中,实验发现键合圆片中心区域键合失效.通过对键合机理和工艺过程进行分析,认为湿法腐蚀工艺引入钾离子(K+)污染是造成键合失效的主要原因,也可以对键合失效现象给出合理的解释.改变工艺参数进行了键合对比实验,结果表明,未受K+污染的键合圆片没有发生键合失效现象.提出了解决键合失效问题的两种方案,并首次提出在Si片表面生长氧化层提高失效区键合强度的方法;从理论上分析了增加SiO2介质层的可行性.强度测试结果表明,在SiO2厚度为150 nm时,键合剪切强度达到14 MPa,验证了方案的可靠性.利用上述方法制备出微加速度传感器敏感结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈德勇		6	44	5.0	6.0
2	夏善红		11	53	4.0	7.0
3	毋正伟		3	18	3.0	3.0