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摘要:
带有本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好,是低价高效电池的一种.根据相关文献,遵循HIT电池发展的过程,从原理、结构、制备工艺等角度对其进行了深入分析,指出PECVD技术在制备HIT电池中存在的问题,并对HWCVD法制备高效HIT电池的前景进行了探讨,同时分析了a-Si:H/Si界面钝化、双面异质结结构、表面织构及栅线的优化设计等技术手段对制备高效HIT电池的重要性.
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内容分析
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文献信息
篇名 带有本征薄层的异质结太阳能电池
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 HIT太阳能电池 PECVD HWCVD
年,卷(期) 2010,(1) 所属期刊栏目 趋势与展望
研究方向 页码范围 1-7
页数 7页 分类号 TM914.41
字数 6862字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.01.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘艳红 大连理工大学物理与光电工程学院 14 73 6.0 8.0
2 刘爱民 大连理工大学物理与光电工程学院 7 43 4.0 6.0
传播情况
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2019(5)
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研究主题发展历程
节点文献
HIT太阳能电池
PECVD
HWCVD
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
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