GaAs单片二极管双平衡混频器

• 作者: 彭龙新 李建平 陈坤
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 双平衡混频器 环形二极管 巴伦 微波单片集成电路 转换损耗
• 年，卷（期）: 2010,（9）
• 页码范围: 31-33
• 分类号: TN773.2
• 字数: 733字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.09.008

摘要

采用0.25μm的GaAs工艺制作了一款单片二极管双平衡混频器.基于环形二极管双平衡混频器的基本工作原理,提出了LO巴伦与RF巴伦的区别所在,并以Marchand巴伦为LO巴伦,以trjformer巴伦作为RF巴伦.在优化了局部电路后,再与环形二极管组成整体电路,并对整体电路进行了优化.最后对版图进行EM仿真,并稍作调整以改善EM仿真结果.当本振功率在13dBm时,实测得转换损耗在低本振和高本振下约为11.5dB和10.5dB,LO端口到IF端口和RF端口隔离度分别为30dB和35dB,LO端1∶7和RF端口驻波分别小于2和3.5,实测结果与仿真结果基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭龙新		21	143	7.0	11.0
3	李建平		8	49	4.0	7.0
4	陈坤		1	11	1.0	1.0