MOSFET器件引线键合技术

• 作者: 陈宏仕
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 引线键合 封装成品率
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 1-3
• 分类号: TN305.94
• 字数: 2334字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.07.001

摘要

MOSFET器件由于高阻抗、低功耗等特点,在电脑电源、家用电器和自动控制系统等方面得到广泛应用.但由于其芯片结构的特殊性,在封装制造过程中容易受到静电、应力、环境条件等多种因素的影响.引线键合过程是影响封装成品率的关键工艺环节.引线键合是电子工程互连的重要方式,MOSFET器件通常采用超声键合的工艺进行引线互连.影响引线键合质量的因素较多,其中引线键合工艺、引线材料和设备维护是最重要的三个因素.通过实际生产过程的试验、分析和提炼,研究引线键合技术,总结了引线键合工艺、引线材料和设备维护三个方面的实践经验,为提升和稳定封装成品率提供参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈宏仕		9	2	1.0	1.0