辣根过氧化酶在磁性纳米修饰的离子注入电极上的电化学和电催化行为

• 作者: 尚军 曹伟 胡劲波 魏翠梅
• 来源期刊: 分析试验室
• 学科: 化学
• 关键词: 离子注入 辣根过氧化酶 纳米钴 ITO
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 研究报告与研究简报
• 页码范围: 21-24
• 页数: 4页
• 分类号: O657.1
• 字数: 2217字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0720.2010.01.006

摘要

辣根过氧化酶(HRP)在Co/NH_2/ITO离子注入电极上有一对良好的氧化还原峰, 峰电位分别为E_(pc)=-0.2 V, E_(pa)=-0.01 V (vs Ag/AgCl). 该修饰电极对H_2O_2具有催化作用, 可以用作H_2O_2的生物传感器, 峰电流与H_2O_2的浓度分别在1.0×10~(-10)～2.0×10~(-8) mol/L和2.0×10~(-8)～1.0×10~(-7) mol/L范围内呈线性关系, 线性回归方程分别为I_p(mA)=2.2986+0.06632 c(nmol/L)和I_p(mA)＝3.5788+7.3053E-4c(nmol/L), 相关系数分别为0.9972和0.9688. 检出限为1.0×10~(-10) mol/L.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡劲波	北京师范大学化学学院	47	423	13.0	18.0
2	尚军	北京师范大学化学学院	10	110	6.0	10.0
3	曹伟	北京师范大学化学学院	3	15	2.0	3.0
4	魏翠梅	北京师范大学化学学院	4	24	3.0	4.0