提高SiC MESFET栅金属平坦性的方法

• 作者: 商庆杰 杨霏 潘宏菽 霍玉柱
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-半导体场效应晶体管 栅金属 平坦性 隔离台阶 电迁徙 离子注入隔离
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(先进工艺技术)
• 页码范围: 221-224
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.3
• 字数: 2485字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.03.006

摘要

SiC金属-半导体场效应晶体管的工艺研制中,通常需要有源区之间的隔离.现常用刻蚀隔离的方法,但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问题,若隔离台阶太陡,则栅金属在台阶处连续性较差,易产生电迁徙,器件工作时首先在此处烧毁,使器件失效.设计了几种提高栅金属平坦性的方法:通过优化台上掩模层台阶倾斜角以及调整刻蚀ICP,RIE功率可以实现180左右倾斜台阶;通过"类平坦化"技术可以将绝缘介质淀积到台下区,基本实现无台阶;利用"离子注入隔离"取代"刻蚀隔离"则可以真正实现无台阶.实验验证以上方法可以有效提高栅金属的平坦性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘宏菽	专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所	8	21	2.0	4.0
2	霍玉柱	专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所	2	9	2.0	2.0
3	商庆杰	专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所	2	9	2.0	2.0
4	杨霏	专用集成电路国家级重点实验室河北半导体研究所	2	11	2.0	2.0