银掺杂量对ZnO压敏电阻电性能的影响

• 作者: 冯文林 孟范成 张锋
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌压敏电阻 银掺杂量 压敏电压 非线性系数
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 38-41
• 页数: 4页
• 分类号: TB33
• 字数: 3944字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.04.011

摘要

通过传统的固相反应法在920 ℃制备了银掺杂的ZnO压敏电阻样品,考察了银掺杂量对样品烧结特性和电性能的影响.结果表明,银掺杂不利于样品的致密,但对于ZnO压敏电阻的电性能有明显的影响.当银在ZnO基体中的质量分数由15%增加到25%时,样品的压敏电压由1 900 V/cm降到600 V/cm,对应的非线性系数由15.4降到9.0.这为进一步控制ZnO压敏电阻的电性能提供了新的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟范成	重庆理工大学材料科学与工程学院	21	65	4.0	6.0
2	冯文林	重庆理工大学数理学院	47	119	5.0	9.0
3	张锋	重庆理工大学数理学院	13	8	2.0	2.0