大功率SiC MESFET内匹配技术及测试电路研究

• 作者: 何庆国 冯志红 刘博宁 李亮 王丽 王勇 蔡树军 陈昊 默江辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC MESFET 内匹配 大功率
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 658-660,668
• 分类号: TN325|TN386
• 字数: 1613字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.07.011

摘要

采用管壳内匹配及外电路匹配相结合的方法,成功制作四胞合成大功率高增益SiC MESFET.优化了芯片装配形式,采用内匹配技术提高了器件输入、输出阻抗.优化了测试电路结构,成功消除了输入信号对栅极偏置电压的影响,提高了电路稳定性.四胞器件在脉宽为300 μs、占空比为10%脉冲测试时,2 GHz Vds=50 V脉冲输出功率为129 W(51.1 dBm),线性增益为13.0 dB,功率附加效率为31.4%.