生长和退火温度对磁控溅射法制备的ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 张贺秋 王彬 胡礼中 赵子文 邱宇 马金雪
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 磁控溅射 结晶质量 退火处理
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1119-1123
• 分类号: O472
• 字数: 2780字
• 语种: 中文

摘要

利用磁控溅射法于500 ℃、550 ℃、600 ℃和650 ℃下在Al2O3(001)衬底上生长ZnO薄.对生长的ZnO薄膜后分别进行了800 ℃退火和1000 ℃退火处理.利用X射线衍射(XRD)、霍尔测试仪和透射谱仪对薄膜的结构、电学和光学性质进行了研究,结果表明合适的生长温度和退火温度能够提高ZnO薄膜的结晶质量和性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡礼中	大连理工大学物理与光电工程学院	28	160	8.0	11.0
2	张贺秋	大连理工大学物理与光电工程学院	14	41	4.0	6.0
3	王彬	大连理工大学物理与光电工程学院	3	10	2.0	3.0
4	邱宇	大连理工大学物理与光电工程学院	14	16	3.0	3.0
5	赵子文	大连理工大学物理与光电工程学院	2	17	2.0	2.0
6	马金雪	大连理工大学物理与光电工程学院	1	6	1.0	1.0