用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳工艺研究

• 作者: 张继军 李辉 梁小燕 王东 闵嘉华 陈军
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdZnTe晶体 真空镀碳 粗糙度 结合力 位错密度
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 1114-1118
• 分类号: O484.4
• 字数: 2564字
• 语种: 中文

摘要

采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZnTe晶体生长的石英坩埚真空镀碳的最优工艺参数.研究表明,以乙醇为碳源,坩埚真空退火9 h后,碳源通入量为1.5 mL时,获得了厚度为0.7163 μm,表面粗糙度为4.7 nm,结合力达8.11 kg的碳膜.采用此工艺镀膜的石英坩埚生长CdZnTe晶体后,碳膜附着完好,晶体表面平整光洁,位错密度降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闵嘉华	上海大学材料科学与工程学院	54	281	10.0	15.0
2	张继军	上海大学材料科学与工程学院	20	48	4.0	6.0
3	梁小燕	上海大学材料科学与工程学院	19	38	3.0	5.0
4	王东	上海大学材料科学与工程学院	10	24	3.0	4.0
5	李辉	上海大学材料科学与工程学院	14	22	3.0	4.0
6	陈军	上海大学材料科学与工程学院	5	37	4.0	5.0