退火对高阻AZO薄膜结构及紫外光电导特性的影响

• 作者: 孙继伟 曹东 李大伟 蒋向东
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: AZO薄膜 高温退火 紫外光电导特性
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 651-654
• 分类号: TN23|TN304.055
• 字数: 3021字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.06.001

摘要

在石英衬底上采用射频磁控溅射的方法制备高电阻AZO薄膜,其中高电阻由高氧氩比环境得到.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行表征,重点研究了不同退火温度对薄膜的结构及紫外光电导特性的影响.结果表明:适当温度的退火有助于薄膜结构的优化,而随着退火温度的增加,薄膜的紫外光电导特性呈现出先增加后减小的变化趋势,并在400 ℃条件下达到最优紫外响应效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋向东	电子科技大学光电信息学院	34	154	6.0	10.0
2	曹东	电子科技大学光电信息学院	3	10	2.0	3.0
3	李大伟	电子科技大学光电信息学院	5	15	3.0	3.0
4	孙继伟	电子科技大学光电信息学院	5	21	3.0	4.0