具有扇形缺口的Co纳米盘的微磁学模拟

• 作者: 李丹丹 苗秀娟 陈玉芳
• 来源期刊: 内蒙古民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 微磁学 缺口 纳米盘 剩磁态 剩磁 矫顽力 磁存储
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 495-498
• 分类号: O469
• 字数: 1639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-0185.2010.05.004

摘要

以H.Wang等人的实验结果为依据,用微磁学理论对直径为400 nm,具有不同缺口角度的Co纳米盘在不同方向(垂直和平行于盘的缺口方向)磁场作用下的磁化反转过程进行模拟.从剩磁态、剩磁和矫顽力三个方面考察了不同缺口角度的引入对磁体磁性能的影响.比较模拟结果发现:当磁场垂直于盘的缺口方向时,获得的剩磁态均为磁通闭合磁畴结构,且此时剩磁和矫顽力都随缺口角度的增加呈增加趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苗秀娟	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	9	29	3.0	5.0
2	李丹丹	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	12	16	3.0	3.0
3	陈玉芳	内蒙古民族大学物理与电子信息学院	7	13	2.0	3.0