单晶硅生长技术研究新进展

• 作者: 张才勇 蒋娜 袁小武
• 来源期刊: 太阳能
• 关键词: 单晶硅 真空高阻 磁场 氧含量 氮掺杂
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 技术与产品
• 页码范围: 29-32
• 页数: 4页
• 字数: 3204字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0417.2010.02.010

摘要

综述了单晶硅生长技术的研究现状.对改良热场技术、磁场直拉技术、真空高阻技术以及氧浓度的控制等技术进行了论述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋娜		2	10	1.0	2.0
2	袁小武		1	10	1.0	1.0
3	张才勇		1	10	1.0	1.0