掺铝ZnO透明导电薄膜的制备及光电性能研究

• 作者: 曾令宏 钟志有 韦世良 顾锦华
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: RF磁控溅射 AZO薄膜 薄膜结构 光电性能
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 44-47
• 分类号: O484.1
• 字数: 2920字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.08.013

摘要

采用RF磁控溅射法制备了掺铝ZnO(AZO)透明导电薄膜,用X射线衍射仪、分光光度计和四探针仪等,研究了沉积温度对薄膜晶体结构和光电性能的影响.结果表明,AZO薄膜为六方纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)择优取向.沉积温度对薄膜的择优取向程度、晶粒尺寸,透射率和导电性能等具有明显的影响.当沉积温度为400℃时,AZO薄膜最大晶粒尺寸为37.21 nm、可见光范围平均透射率为85.5%、优良指数为1.30×10-2Ω-1.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾令宏	柳州师范高等专科学校物理与信息科学系	17	75	4.0	8.0
2	钟志有	中南民族大学电子信息工程学院	67	360	11.0	14.0
3	顾锦华	中南民族大学电子信息工程学院	33	183	9.0	12.0
4	韦世良	柳州师范高等专科学校物理与信息科学系	2	7	2.0	2.0