基于氧化铝缓冲层的Si基ZnO薄膜研究

• 作者: 向嵘 姜德龙 李野 王新 田景全
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体技术 ZnO薄膜 Al2O3缓冲层 X射线衍射 发光光谱
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 1063-1066
• 分类号: TN3
• 字数: 2754字
• 语种: 中文

摘要

高质量的ZnO薄膜通常生长在蓝宝石等晶格匹配好的衬底上,在晶格失配较大的Si衬底上很难得到高质量的ZnO薄膜,而在Si衬底上制备高质量的ZnO薄膜更具有广泛应用前景.本文采用反应磁控溅射的方法,在Si衬底上,通过引入Al2O3缓冲层,在不同氧气和氩气比例下制备了高质量的ZnO薄膜.研究了引入Al2O3缓冲层后,对ZnO薄膜结构和光学特性的影响.发现对于不同氧气和氩气比例下生长的ZnO薄膜样品,其(002)方向的X射线衍射峰的半峰宽(FWHM)明显减小,光致发光谱中紫外发光与可见发光峰值强度比明显增强.表明引入Al2O3缓冲层后,ZnO薄膜的结构和光学特性得到了很大改善,从而为在Si衬底上制备高质量ZnO薄膜提供了参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田景全	长春理工大学理学院	24	327	8.0	17.0
2	李野	长春理工大学理学院	68	297	9.0	13.0
3	姜德龙	长春理工大学理学院	25	153	6.0	10.0
4	王新	长春理工大学理学院	42	87	5.0	6.0
5	向嵘	长春理工大学理学院	12	57	5.0	6.0