SiC改性Mg2SiO4陶瓷微波衰减性能的研究

• 作者: 丘泰 李晓云 王国强
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 热压烧结 SiC Mg2SiO4陶瓷 微波衰减 谐振频率
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试测
• 页码范围: 1-3
• 分类号: TM28
• 字数: 2431字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.07.001

摘要

采用热压烧结工艺在1 500℃下保温1 h,制备了SiC改性Mg2SiO4陶瓷,研究了SiC添加量对Mg2SiO4陶瓷烧结性能、显微结构及微波衰减性能的影响.初步探讨了该Mg2SiO4陶瓷的微波衰减机制.结果表明:当SiC质量分数从0增加到10%,Mg2SiO4陶瓷的表观气孔率逐渐增大,烧结性能下降;Mg2SiO4陶瓷的谐振频率随之向低频移动,谐振吸收峰的峰值逐渐减小,有效衰减带宽增大.电阻损耗和介质损耗是Mg2SiO4陶瓷主要的微波衰减机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丘泰	南京工业大学材料科学与工程学院	283	2308	22.0	31.0
2	王国强	南京工业大学材料科学与工程学院	2	10	2.0	2.0
3	李晓云	南京工业大学材料科学与工程学院	69	515	12.0	19.0