横向微堆积大功率半导体激光器线阵的制备

• 作者: 崔碧峰 张蕾 李明 沈光地 王建军 王汝杰 郭伟玲 高昕
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 半导体激光器线阵 横向微堆积
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 20-22,100
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2011字
• 语种: 中文

摘要

提出了一种横向微堆积大功率半导体激光器线阵的新结构,在相同的注入电流下提高了器件的输出光功率,有效缓解了大电流下的器件热烧毁和光学灾变性毁坏(COD).制备了横向微堆积三有源区半导体激光器线阵列,在50 A的工作电流下,其输出光功率可达到79.3 W,斜率效率可达1.81 W/A,是传统单有源区bar条的两倍多.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈光地	北京工业大学光电子技术实验室	192	1444	18.0	29.0
2	高昕		49	318	12.0	15.0
3	李明		13	50	4.0	6.0
4	张蕾		10	29	3.0	4.0
5	崔碧峰	北京工业大学光电子技术实验室	51	172	7.0	10.0
6	郭伟玲	北京工业大学光电子技术实验室	74	656	10.0	23.0
7	王建军		19	144	6.0	11.0
8	王汝杰		2	2	1.0	1.0