有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管

• 作者: 冯佳涵 周俊 张群 李桂锋
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 PVP有机介质层 铟锌氧化物
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 558-560
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 1461字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.022

摘要

利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整.采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层.以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管.测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8 V,迁移率为25.4 cm2·V-1·s-1,开关比为106.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张群	复旦大学材料科学系	110	917	15.0	24.0
2	周俊	复旦大学材料科学系	32	280	9.0	16.0
3	李桂锋	复旦大学材料科学系	7	25	3.0	4.0
4	冯佳涵	复旦大学材料科学系	2	6	2.0	2.0