坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷

• 作者: 方奇术 梁哲 沈琦 王苏静 肖华平 蒋成勇 陈红兵
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 钨酸镉 晶体生长 坩埚下降法 晶体缺陷
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 829-833
• 分类号: O77
• 字数: 2412字
• 语种: 中文

摘要

采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化.结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象.