直流电沉积法制备铁纳米线阵列及表征

• 作者: 任凌云 佘希林 孙瑾 王士财
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: AAO模板 DC电沉积法 Fe纳米线 阵列
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 64-66
• 分类号: TB183
• 字数: 2563字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.05.020

摘要

为了制备结构规整的Fe纳米线阵列,以多孔阳极氧化铝(AAO)为模板,采用直流电沉积法制备了Fe纳米线阵列,并利用SEM、TEM、XRD等测试手段对其微观形貌和结构进行了表征.结果表明:所得的Fe纳米线阵列结构规整、直径与模板孔径基本一致,约为250 nm,是结构紧密的多晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙瑾	青岛大学化学化工与环境学院	41	356	9.0	17.0
2	王士财	青岛大学化学化工与环境学院	43	249	10.0	11.0
3	佘希林	青岛大学化学化工与环境学院	47	322	10.0	15.0
4	任凌云	青岛大学化学化工与环境学院	1	4	1.0	1.0