ZnO薄膜微结构变化对光电特性的影响

• 作者: 刘磁辉 刘秉策 孙利杰 易波
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO多晶薄膜 晶粒界 深能级缺陷 光电特性
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 194-198
• 分类号: O472.3|O472.4
• 字数: 3325字
• 语种: 中文

摘要

使用脉冲激光淀积(PLD)技术在n型Si衬底上沉积氧化锌(ZnO)薄膜,在O2气氛下对样品进行了500 ℃(Sample 1, S1),600 ℃(Sample 2, S2),700 ℃(Sample 3, S3)和800 ℃(Sample 4, S4)退火,随后进行了X射线衍射(XRD)谱,椭偏光折射率,热激电流(TSC) 和电容-电压(C-V)的测量.研究发现:S1中晶界的电子陷阱由高浓度的深能级杂质(Zni)提供的电子填充,该能级位于ET=EC-0 24±0.08 eV.S3中出现与中性施主(D0)有关的深能级中心,其ET=EC-0.13±0.03 eV,推测D0的出现与高温氧气条件退火下晶界处形成的复合体缺陷有关.XRD和椭偏光折射率测量结果表明:氧气对ZnO薄膜微结构的修饰是改变ZnO/Si结构光电特性的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磁辉	中国科学技术大学物理系	13	183	6.0	13.0
2	易波	中国科学技术大学物理系	20	88	6.0	8.0
3	刘秉策	中国科学技术大学物理系	1	7	1.0	1.0
4	孙利杰	中国科学技术大学物理系	8	42	4.0	6.0