高浓度硼扩散硅片CMP工艺改进技术

• 作者: 吴嘉丽 谭刚
• 来源期刊: 机电工程技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 化学机械抛光 平坦化 抛光液
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 页码范围: 60-61,79
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2442字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9492.2010.10.017

摘要

"叉指式勘口速度计"的研制,需要使用高浓度硼扩散硅片,而硅片经过高浓度硼扩散后,硅片双面生长了一层硼硅玻璃,采用原有CMP工艺很难将其去除,不能在高浓度硼扩散层上制作更好的"叉指式微加速度计"结构.针对上述问题,在CMP研磨抛光工艺中,通过改进双面粘片工艺,选择合适的研磨料和抛光料以及研磨盘和抛光盘,系统地考察了压力、转速、抛光垫、浆料、温度等因素对硅晶圆平坦化速率的影响,优化研磨抛光工艺流程及工艺参数,获得表面无划道、无麻坑、无桔皮的高浓度硼扩散硅片,表面粗糙度20A,达到"叉指式微加速度计"工艺用片指标.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴嘉丽	中国工程物理研究院电子工程研究所	17	110	6.0	10.0
2	谭刚	中国工程物理研究院电子工程研究所	10	47	4.0	6.0