硅硅直接键合界面杂质分布研究

• 作者: 霍文晓
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 微电子机械系统 直接键合 杂质分布 功率器件
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 157-159
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.96
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.02.050

摘要

根据硅片直接键合工艺中硅片的杂质分布与扩散规律,使用集成电路模拟软件T -SUPREM 4建立一个键合过程中杂质再扩散模型.该模型有利于MEMS和IC电路的集成化设计.使用该模型对键合热处理时的杂质再扩散进行模拟,得到了在500 ℃温度下进行键合时界面处杂质的分布曲线.结果表明,热处理1 h杂质再扩散已基本停止;键合界面处的氧化层对杂质扩散有明显的阻止作用,这有利于改善器件性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍文晓	青岛农业大学理学与信息科学学院	14	31	3.0	5.0