氮化铝陶瓷低温真空热压烧结研究

• 作者: 崔珊 王芬
• 来源期刊: 陶瓷
• 学科: 工学
• 关键词: AIN陶瓷 低烧结温度 真空热压烧结
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 7-10
• 分类号: TQ17
• 字数: 2859字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2872.2010.08.001

摘要

以自蔓延高温合成的AIN粉体为原料,Y2O3、Dy2O3、La2O3为添加剂,采用真空热压烧结工艺,实现了含有添加剂的AIN陶瓷体的低温烧结;研究了烧结温度对AIN烧结性能的影响.用XRD、SEM对AIN高压烧结体进行了表征.研究表明:粉体粒径、烧结工艺、烧结助剂对A1N陶瓷低温烧结真空热压烧结性能有很大影响;含烧结助剂的真空热压烧结能够有效降低AIN陶瓷的烧结温度并缩短烧结时间,使烧结体的结构致密.烧结温度1550℃条件下,真空热压烧结90 min时,得到的AIN陶瓷的致密度最高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王芬	陕西科技大学材料科学与工程学院	186	1121	17.0	22.0
2	崔珊	陕西科技大学材料科学与工程学院	7	13	3.0	3.0