PECVD制备SiOx-SiNx薄膜的研究

• 作者: 季静佳 朱凡 李果华 王振交 钱洪强 韩培育
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体硅太阳电池 氧化硅 减反 钝化
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 680-683,709
• 分类号: TN914.4
• 字数: 3003字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.07.017

摘要

首先使用工业型Direct-PECVD设备,采用SiH4和N2O制备了SiOx薄膜.针对Si太阳电池的应用,比较了SiOx薄膜在不同射频功率、气压、气体流量比和温度下的沉积特性,得出了最佳的沉积条件,这些沉积特性包括沉积速率、折射率和腐蚀速率.在该条件下沉积的SiOx膜均匀性良好、结构致密、沉积速率稳定,其性能满足了现阶段Si太阳电池对减反钝化层的光学和电学性能方面的要求.然后制备了SiOx-SiNx叠层减反钝化膜,并比较了SiO2与SiNx单层膜的减反和钝化效果,结果显示SiOx-SiNx叠层膜在不增加反射率的同时显著提高了Si片的钝化效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩培育	江南大学理学院	2	11	2.0	2.0
3	钱洪强		2	5	1.0	2.0
6	朱凡		1	4	1.0	1.0
7	王振交		1	4	1.0	1.0