石英衬底上Au缓冲层对ZnO薄膜微结构的影响

• 作者: 李宁 邓宏 陈金菊
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学气相沉积 缓冲层 ZnO薄膜
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 219-222
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 1962字
• 语种: 中文

摘要

采用单源化学气相沉积(SSCVD)法,在石英衬底上以Au为缓冲层,Zn4(OH)2(O2CCH3)6·2H2O为固相源制备ZnO薄膜. SEM和XRD测试ZnO薄膜的微结构,结果表明:相对于SiO2衬底上生长的ZnO薄膜,Au/SiO2衬底上生长的ZnO薄膜具有较好的结晶质量和表面平整度;对制备ZnO薄膜的衬底温度进行了工艺优化,结果表明:500 ℃时制备的ZnO薄膜颗粒大小均匀,结晶质量较好;通过荧光光谱仪对Au/SiO2衬底上的ZnO薄膜进行光致发光(PL)谱测试,ZnO薄膜在400 nm出现紫光发射峰,而没有出现与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较好的结晶质量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈金菊	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	36	309	11.0	16.0
2	邓宏	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	72	653	14.0	22.0
3	李宁	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	8	2.0	2.0