杨教授视点 智能电网技术 15kVSiCIGBT的发展及其对电力应用的影响（中）

• 作者: ALEX B. BALIGA HUANG JAYANT JUN LIU Q. SUNG WANG WOONGJE YU 姜建国（译） 张永鑫（译） 杨喜军（译） 田书欣（译）
• 来源期刊: 变频器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 电网技术 电力应用 4H-SIC 智能 IGBT 掺杂浓度 外延层 N沟道
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 22-23
• 页数: 2页
• 分类号: TM727

摘要

15-kV SiC IGBT的设计与优化 图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n^＋衬底上生长有外延层。厚3μm、1×10^19cm^-3掺杂的P＋发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层（场塞）,厚5μm,掺杂浓度1×10^17cm^-3,可以防止场击穿,同时实现了较好的性能折中。