基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取       
摘要:
设计并利用分子束外延生长了GaAs/AlGaAs异质结结构,以制作应用于中国电阻基准的量子化霍尔电阻器件.报道了这种制作量子化霍尔电阻器件的步骤及结果,讨论了利用77 K下二维电子气的载流子浓度和迁移率数据初步判断其是否适合用于量子化霍尔电阻标准的方法和该方法的局限性.
推荐文章
AlGaAs/GaAs HBT非等温能量平衡模型(NEB)及其数值分析
HBT
NEB模型
EB模型
DD模型
二维模拟
负微分电阻
量子霍尔电阻计量技术的应用与分析
电阻
量子化霍尔效应
计量
量子化霍尔电阻国家标准的研究
计量学
电阻标准
量子化霍尔电阻
低温电流比较仪
信噪比
不确定度
GaAs/AlGaAs异质结的微波调制反射谱
微波调制反射谱
二维电子系统
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 用于量子化霍尔电阻标准的GaAs/AlGaAs异质结二维电子气结构
来源期刊 计量学报 学科 工学
关键词 计量学 量子化霍尔电阻标准 GaAs/AlGaAs异质结 二维电子气
年,卷(期) 2010,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 543-546
页数 分类号 TB971
字数 2425字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-1158.2010.06.15
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 钟青 中国计量科学研究院电学与量子所 13 23 3.0 4.0
2 贺青 中国计量科学研究院电学与量子所 51 216 9.0 11.0
3 赵建亭 中国计量科学研究院电学与量子所 7 33 4.0 5.0
4 王文新 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室 15 50 4.0 6.0
5 钟源 中国计量科学研究院电学与量子所 3 7 1.0 2.0
6 鲁云峰 中国计量科学研究院电学与量子所 18 59 5.0 7.0
7 田海涛 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室 2 7 1.0 2.0
传播情况
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
共引文献  (0)
参考文献  (7)
节点文献
引证文献  (0)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
1980(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1985(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1986(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1989(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
1995(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2003(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2008(1)
  • 参考文献(1)
  • 二级参考文献(0)
2010(0)
  • 参考文献(0)
  • 二级参考文献(0)
  • 引证文献(0)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
计量学
量子化霍尔电阻标准
GaAs/AlGaAs异质结
二维电子气
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
计量学报
月刊
1000-1158
11-1864/TB
大16开
北京1413信箱
2-798
1980
chi
出版文献量(篇)
3549
总下载数(次)
8
总被引数(次)
20173
论文1v1指导