硅纳米线阵列的光学特性

• 作者: 周建伟 梁中翥 梁静秋 王维彪
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属催化化学腐蚀 硅纳米线阵列 减反射
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 894-898
• 分类号: TM615
• 字数: 3050字
• 语种: 中文

摘要

在常温常压条件下,采用改进的金属催化化学腐蚀方法在n型单晶硅片(100)上制备了大面积垂直于硅衬底、直径均匀、排列整齐的硅纳米线阵列.分析了样品的表面形貌和反射谱,纳米线直径为10～50nm.在腐蚀时间分别为15,30,60 min时,纳米线长度分别为9,17,34 μm.样品的减反射件能优异,在300～1000nm波段,得到了2.4%的反射率.初步分析了纳米线阵列的减反射机制和不同腐蚀时间样品的反射率差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁中翥	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	50	225	8.0	12.0
2	梁静秋	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	66	389	11.0	17.0
3	王维彪	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	29	91	6.0	7.0
4	周建伟	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室	6	28	2.0	5.0