VCO电路测试新型BST电容器的可变电容特性

• 作者: 刘健余 唐永军 尹锁柱 李黎 章兴良
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 BST 介电常数 压控振荡器 压控灵敏度 电容调谐率
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 45-47,51
• 页数: 4页
• 分类号: TN604
• 字数: 2383字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.01.014

摘要

基于新型BST电容器的变容机理,采用集成芯片MC12148设计VCO(压控震荡器)测试电路,通过测量不同控制电压对应的频率,计算出材料的电容与介电常数,研究了新型BST的压控特性,推导出该BST材料的电压与电容关系式.结果显示:新型BST材料加正反偏压电容都发生变化;最大耐压值为40 V;其电容调谐率与压控灵敏度都很小,分别为10.691%和5.717 kHz/V;材料应用在频率合成器的微调上,可提高合成频率的灵敏度与精度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐永军	桂林电子科技大学信息与通信学院	3	0	0.0	0.0
2	尹锁柱	桂林电子科技大学信息与通信学院	16	35	4.0	5.0
3	李黎	桂林电子科技大学信息与通信学院	5	4	1.0	2.0
4	刘健余	桂林电子科技大学信息与通信学院	16	19	3.0	4.0
5	章兴良	桂林电子科技大学信息与通信学院	4	12	2.0	3.0