工艺过程对MPP CCD暗电流的影响研究

• 作者: 曾武贤 李仁豪 许宏 雷仁方
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: MPP CCD 工艺过程 暗电流密度 少子寿命
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 93-95
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.5
• 语种: 中文

摘要

采用测试硅材料少子寿命的方法评价了MPP CCD制作工艺中各工艺过程对器件暗电流的影响,然后对CCD的工艺过程进行了优化,并将优化后的工艺过程应用到了1 024×1 024可见光MPP CCD的工艺制作中.采用优化后的工艺制作的器件暗电流比优化工艺前的下降了50%,典型值为20～30 pA/cm~2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李仁豪		24	60	5.0	6.0
2	雷仁方		14	32	4.0	5.0
3	许宏		3	7	2.0	2.0
4	曾武贤		4	3	1.0	1.0