Si基微波单片集成电路的发展

• 作者: 刘英坤 杨建军
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基微波单片集成电路 三维 隔离槽 硅高阻硅衬底 锗硅
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 205-208,281
• 页数: 5页
• 分类号: TN454
• 字数: 2707字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.03.002

摘要

随着半导体制造技术和材料技术的进步,Si基微波单片集成电路逐渐向高频、高线性、低噪声、低成本方向发展.介绍了近年国内外在Si基微波单片集成电路在制造工艺、电路结构和制作材料上的革新,阐述了三维Si微波单片集成电路技术、隔离槽技术、Si高阻衬底技术、SiGe技术等对Si基微波单片集成电路发展的影响,并列举了一些典型的应用.最后展望了Si基微波单片集成电路的发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英坤	河北工业大学信息工程学院	30	183	8.0	12.0
3	杨建军	河北工业大学信息工程学院	1	3	1.0	1.0