GaN基白光发光二极管失效机理分析

• 作者: 张保平 薛正群 陈朝 黄生荣
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 加速老化 失效机理 GaN 白光LED
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 5002-5009
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

对小功率白光GaN基发光二极管(LED)在室温,40℃和70℃下进行温度加速老化寿命实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光学和热学特性进行测量来分析器件的失效机理,着重分析器件的芯片和荧光粉的失效机理.器件老化前后的/-V特性表明:老化过程中,器件的串联电阻和低正向偏压下的隧道电流增大,这是由于器件工作时其芯片的欧姆接触退化和半导体材料的缺陷密度升高而引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝	厦门大学物理系	63	420	11.0	18.0
3	黄生荣		5	51	3.0	5.0
4	张保平	厦门大学物理系	21	95	5.0	9.0
6	薛正群	厦门大学物理系	2	37	2.0	2.0