In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能

• 作者: 刘宝林 朱丽虹 李晓莹 蔡加法 邓彪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 InGaN/GaN多量子阱 发光二极管 内量子效率
• 年，卷（期）: 2010,（7）
• 页码范围: 4996-5001
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

利用金属有机物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上通过有源层的变温生长,得到In组分渐变的量子阱结构,从而获得具有三角形能带结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)(简称三角形量子阱结构LED).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡加法	厦门大学物理系	27	107	6.0	8.0
2	刘宝林	厦门大学物理系	30	167	9.0	11.0
3	朱丽虹	厦门大学物理系	8	26	3.0	5.0
4	李晓莹	厦门大学物理系	4	10	1.0	3.0
5	邓彪	厦门大学物理系	2	10	1.0	2.0