掺Al对TaN薄膜微结构及电性能的影响

• 作者: 司旭 向阳 张万里 彭斌 李言荣 王超杰 蒋洪川
• 来源期刊: 电子科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al掺杂 磁控溅射 TaN薄膜 TCR
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 电子信息材料与器件
• 页码范围: 440-442
• 分类号: TB43|TN6
• 字数: 1880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0548.2010.03.025

摘要

采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaAlN薄膜,通过调节复合靶Al/Ta面积比调节Al掺杂量,研究了Al/Ta面积比对TaAlN薄膜微结构及电性能的影响.XRD结果表明,TaN薄膜中掺杂Al可在2θ为38.5°和65.18°处分别有立方结构的AlN(101)和AlN(202)相出现.随Al/Ta面积比的增大,TaAlN薄膜的沉积速率、电阻率、方阻以及TCR绝对值逐渐增大.当Al/Ta面积比为零时,TaN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别为247.8 μΩ·cm和12 ppm/℃,当Al/Ta面积比增大到29%时,TaAlN薄膜的电阻率和TCR绝对值分别增大到2560 μΩ·cm和270 ppm/℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋洪川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	74	586	12.0	19.0
2	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
3	彭斌	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	87	638	12.0	21.0
4	王超杰	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	28	3.0	5.0
5	向阳	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	5	21	3.0	4.0
6	司旭	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	4	24	3.0	4.0