典型光电器件60Coγ射线辐照试验研究

• 作者: 刘伟鑫 吾勤之 徐导进
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光电器件 电离辐照效应 氧化物陷阱电荷 界面态陷阱电荷
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 584-587
• 页数: 4页
• 分类号: TN21|TN36
• 字数: 2056字
• 语种: 中文

摘要

用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应.结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值逐渐下降,红外光强度逐渐衰减;OP604的暗电流逐渐增大,光电流逐渐下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐导进		4	9	2.0	3.0
2	吾勤之		8	24	3.0	4.0
3	刘伟鑫		6	21	3.0	4.0