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摘要:
采用Crosslight APSYS这一行业专业软件对p-GaN,InGaN/InGaN多量子阱,n-GaN和蓝宝石的芯片结构研究了不同电极形状与器件的光电性能之间的关系.优化设计了普通指形电极、对称型指形电极、h形指形电极、旋转形电极、中心环绕形电极、树形电极等6种电极结构.通过电极优化设计,电流分布更加均匀,减小了电流的聚集效应.
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文献信息
篇名 电极形状对GaN基发光二极管芯片性能的影响
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 GaN基发光二级管 电极形状 电流聚集效应 光电性能
年,卷(期) 2010,(7) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 4989-4995
页数 分类号 O4
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张俊兵 扬州大学物理科学与技术学院 6 39 4.0 6.0
2 曾祥华 扬州大学物理科学与技术学院 57 143 6.0 10.0
3 宋雪云 扬州大学物理科学与技术学院 1 5 1.0 1.0
7 董雅娟 扬州大学物理科学与技术学院 3 12 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
GaN基发光二级管
电极形状
电流聚集效应
光电性能
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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