非挥发性记忆体Read Disturb测试方法的研究

• 作者: 丁育林 张启华 简维廷
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 非挥发性记忆体 可靠性测试 读取扰动 阈值电压分布
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 507-510
• 分类号: TN406
• 字数: 2175字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.023

摘要

DDF是一种高容量的NAND Flash.以DDF产品为例,研究和讨论了它的Read Disturb 测试方法.受测试时间的限制,只能选择局部的存储区间进行DDF的Read Disturb测试.这样局部区间的测试结果是否能够代表整个芯片的性能,设计了一套实验,对这个课题进行了研究和讨论.依据非挥发性记忆体产品的特性,主要以阈值电压的分布为参考来评价DDF芯片性能的一致性和性能恶化趋势的一致度.最后的实验结果证明了这种测试方法的正确性和合理性.这种分析方法也可以用于其他非挥发性记忆体产品的其他可靠性测试项目的评估.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	简维廷		19	34	3.0	5.0
2	张启华		8	17	2.0	4.0
3	丁育林		3	2	1.0	1.0