Si基3C-SiC薄膜的LPCVD反向外延研究

• 作者: 孙小松 廖熙 杨治美 杨翰飞 龚敏
• 来源期刊: 四川大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 立方碳化硅 反向外延 表面碳化 霍尔迁移率
• 年，卷（期）: 2010,（6）
• 页码范围: 1331-1334
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2642字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2010.06.025

摘要

采用低压化学气相淀积(LPCVD)技术,以CH4和H2的混合气体作为反应源气体,在n型Si(111)衬底上反向外延生长出高迁移率的自掺杂的n型3C-SiC薄膜.在此反应过程中,H2作为稀释与运载气体,CH4提供C源,而Si源由Si衬底提供.通过X射线衍射分析仪(XRD)与场发射扫描电镜(FESEM)分别研究生长出的3C-SiC薄膜的晶格结构和表面形貌.其在室温下的霍尔迁移率的值为1.22×103cm2/(V·s),高于其它相关文献报道的霍尔迁移率.实验结果表明,此生长方法可以生长出表面较为平整,并具备高迁移率的3C-SiC薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚敏	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	109	372	10.0	12.0
2	孙小松	四川大学材料科学与技术学院	9	77	4.0	8.0
3	杨治美	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	11	32	3.0	5.0
4	廖熙	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	3	5	1.0	2.0
5	杨翰飞	四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室	4	7	2.0	2.0